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Vishay推出新型40Vn溝道MOSFET半橋功率級——SiZ240DT

發表時間:2020-11-01 22:16

10月27日,Vishay推出新型40Vn溝道MOSFET半橋功率級——SiZ240DT,可用來提高白色家電以及工業、醫療和通信應用的功率密度和效率。該器件在小型PowerPAIR? 3.3mmx 3.3mm單體封裝中集成高邊和低邊MOSFET,導通電阻和導通電阻與柵極電荷乘積,即功率轉換應用中MOSFET的重要優值系數(FOM)達到業界出色水平。

SiZ240DT中的兩個TrenchFET? MOSFET內部采用半橋配置連接。SiZ240DT的通道1MOSFET,通常用作同步降壓轉換器的控制開關,10V時最大導通電阻為8.05mΩ,4.5V時為12.25mΩ。通道2MOSFET,通常用作同步開關,10V時導通電阻為8.41mΩ,4.5V時為13.30mΩ。這些值比其它競品低16%。結合6.9nC(通道1)和6.5nC(通道2)低柵極電荷,導通電阻與柵極電荷乘積FOM比位居第二的器件低14%,有助于提高快速開關應用的效率。

日前發布的雙MOSFET比采用6mm x 5mm封裝的雙器件小65%,是目前市場上體積最小的集成產品之一。此外,新型器件還為設計師提供節省空間的解決方案,適用于真空吸塵器、無人機、電動工具、家庭/辦公自動化和非植入式醫療設備的電機控制,以及電信設備和服務器的無線充電器和開關電源。

據悉,新型雙MOSFET現可提供樣品并已實現量產,大宗訂貨供貨周期為12周。

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