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Vishay推出新型200V n溝道MOSFET——SiSS94DN

發表時間:2020-10-07 11:06

9月23日,Vishay推出新型200V n溝道MOSFET——SiSS94DN。該器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝,10 V條件下典型導通電阻達到61 mΩ。同時,經過改進的導通電阻與柵極電荷乘積,即MOSFET開關應用重要優值系數(FOM)為854 mΩ*nC。節省空間的Vishay SiSS94DN專門用來提高功率密度,占位面積比采用6mm x 5mm封裝相似導通電阻的器件減小65%。

據悉,日前發布的新器件典型導通電阻比市場上排名第二的產品低20%,FOM比上一代解決方案低17%。這些指標降低了導通和開關損耗,從而節省能源。外形緊湊的靈活器件便于設計師取代相同導通損耗,但體積大的MOSFET,節省PCB空間,或尺寸相似但導通損耗高的MOSFET。

SiSS94DN適用于隔離式DC/DC拓撲結構原邊開關和同步整流,包括通信設備、計算機外設、消費電子;筆記本電腦、LED電視、車輛船舶LED背光;以及GPS、工廠自動化和工業應用電機驅動控制、負載切換和功率轉換。此外,SiSS94DN現可提供樣品并已實現量產,供貨周期為12周。

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